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还在为功率转换效率低下和散热问题头疼吗？让STB30NF20L来为您解决！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，是您实现高效能量控制的秘密武器。

它拥有200V的耐压和30A的持续电流能力，配合其极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。其快速的开关特性和优化的动态参数，让您轻松驾驭高频应用，提升整体系统性能。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发面向未来的高可靠性设计，STB30NF20L都是您值得信赖的伙伴。

• 型号:STB30NF20L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1990 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30NF20L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。