我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGB19NC60KDT4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否渴望为您的电源或电机驱动项目找到一颗既能扛住高压大电流，又能保持冷静高效的“核心引擎”？STGB19NC60KDT4正是为您而来的解决方案。这颗600V/35A的IGBT，采用先进的PowerMESH技术，拥有极低的2.75V饱和压降，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效比更高。

它集成了快速恢复二极管，开关特性优异，能有效减少开关损耗和电磁干扰，让您轻松应对变频驱动、UPS、太阳能逆变器等应用中对效率和可靠性的严苛要求。其坚固的DPAK封装提供了出色的功率处理能力和散热性能，是您构建紧凑、高效、可靠功率转换平台的理想基石。

• 型号:STGB19NC60KDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 35A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A
• 功率 - 最大值:125 W
• 开关能量:165J（导通），255J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:55 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns
• 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):31 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB19NC60KDT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。