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还在为高压、高功率应用中的开关器件选型而烦恼吗？STH3N150-2正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体PowerMESH系列的N沟道MOSFET，拥有1500V的超高耐压和2.5A的电流处理能力，专为应对严苛的工业环境而生。

它能让您轻松驾驭电机驱动、太阳能逆变器、大功率电源等应用。其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）意味着更高的效率和更低的损耗，而先进的HPAK封装则确保了出色的散热性能，让您的系统运行更稳定、更可靠。选择它，就是为您的产品选择了高效与耐用的双重保障。

• 型号:STH3N150-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• STH3N150-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。