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您正在寻找一颗能扛起600V中高压应用重任的“功率开关”吗？STB10NK60ZT4正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，集高耐压（600V Vdss）、大电流（10A Id）于一身，让您的电源转换、电机控制等应用拥有坚实的性能基础。

它的核心价值在于卓越的效率。凭借先进的SuperMESH技术，它在保持低栅极电荷（Qg仅70nC）以实现快速开关的同时，还拥有极低的导通电阻（RdsOn仅750毫欧@10V）。这意味着它能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、更节能。其坚固的D2PAK封装确保了出色的散热能力，轻松应对115W的功率耗散，保障长期运行的可靠性。

• 型号:STB10NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB10NK60ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。