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还在寻找那颗能同时征服高压、大电流与高效率的“全能型”功率开关吗？STP45N40DM2AG正是您的理想答案。这颗来自意法半导体MDmesh DM2家族的N沟道MOSFET，拥有400V的坚固耐压和38A的强大电流吞吐能力，其核心魅力在于仅为72毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更“冷静”，电能转换更高效。

它专为应对苛刻挑战而设计。优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程又快又稳，轻松驾驭高频应用，进一步提升系统整体能效。无论是打造更节能的工业设备、更可靠的新能源系统，还是符合汽车级标准的车载电子，STP45N40DM2AG都能让您以更小的散热负担和更紧凑的设计，实现强大的功率输出，助您轻松赢得性能与可靠性的双重胜利。

• 型号:STP45N40DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 38A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP45N40DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。