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还在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务的“心脏”吗？STP3N80K5正是为您而来！这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和2.5A的连续电流能力，专为要求苛刻的高压应用设计。它能让您的电源或电机驱动系统运行得更稳定、更高效。

其核心价值在于卓越的性能参数：极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则让开关速度更快、损耗更低。配合TO-220封装出色的散热特性，它能让您轻松应对功率转换中的热挑战，显著提升系统整体能效和可靠性，是您打造高性能、长寿命产品的理想选择。

• 型号:STP3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。