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还在为高压大电流应用的效率瓶颈而烦恼吗？STW28NM50N就是您期待的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET拥有500V的耐压和21A的连续电流能力，其核心价值在于极低的158毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它基于ST先进的MDmesh II技术，优化了开关动态性能。更低的栅极电荷和输入电容，意味着您可以实现更快的开关频率，同时保持低损耗，从而轻松提升系统功率密度和整体能效。无论是用于服务器电源、太阳能逆变器还是工业自动化设备，它都能帮助您构建更可靠、更紧凑的先进设计。

• 型号:STW28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。