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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时保持超低损耗的“能量开关”吗？STH260N6F6-6正是为此而生。它凭借意法半导体先进的DeepGATE和STripFET VI技术，实现了惊人的2.4毫欧超低导通电阻，让您在处理高达180A的连续电流时，也能将导通损耗降至最低，从而显著提升系统整体能效，并简化散热设计。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、强健的“电流阀门”。其优化的开关特性（低栅极电荷）让开关动作快速而干净，大幅减少开关过程中的能量损失，特别适合高频开关电源和电机驱动应用。高达300W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），则确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，让您的产品性能更强劲，运行更安心。

• 型号:STH260N6F6-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH260N6F6-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。