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还在寻找能精准驱动功率开关管的核心器件吗？E-L6571BD正是您理想的解决方案。这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，它能轻松接收您的控制信号，并转化为强劲、可靠的栅极驱动电流，确保您的功率模块高效、稳定地开关。

凭借其10V至16.6V的宽范围供电电压和高达600V的自举电压，E-L6571BD让您能够灵活应对各种高低压侧驱动场景。其卓越的驱动能力（峰值输出电流达270mA拉出/170mA灌入）和宽广的工作温度范围（-40°C至150°C），意味着它能在恶劣环境下依然保持高性能，显著提升您整个电机驱动或电源系统的可靠性与效率。

• 型号:E-L6571BD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• E-L6571BD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。