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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与低温运行的“强力心脏”吗？STFI24N60M2正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和18A的连续电流能力，其核心的MDmesh II Plus技术，让它在导通时阻抗极低（仅190毫欧），大幅减少功率损耗，直接为您提升系统整体能效。

它能让您的电源或电机驱动设计运行得更冷静、更可靠。低至29nC的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，配合优异的封装散热，确保设备在繁忙工作中也能保持稳定。选择它，就是为您的产品注入一份强劲而高效的动力源泉。

• 型号:STFI24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 18A TO281
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。