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您正在寻找一颗能同时兼顾高电压、大电流与高效率的功率开关吗？STW48N60DM2正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源击穿电压和40A的连续漏极电流能力，其核心的MDmesh DM2技术能显著降低导通电阻和栅极电荷，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对服务器电源、太阳能逆变器、工业驱动等应用中的功率转换挑战。优异的开关特性与TO-247封装带来的强大散热能力，确保了系统在高温高负载下的长期稳定运行。选择STW48N60DM2，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的心脏，大幅提升整体能效与市场竞争力。

• 型号:STW48N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW48N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。