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还在为功率转换中的损耗和发热问题烦恼吗？STD100N10F7正是为您而来的解决方案。这颗采用STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和80A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的8毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为 demanding 应用而设计。极低的栅极电荷和优化的开关特性，让您轻松实现高频高效开关，提升系统动态响应。同时，其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保了在各种严苛环境下的长期稳定性和可靠性，大幅减轻您的散热设计压力。

总而言之，STD100N10F7能帮助您构建更紧凑、更高效、更可靠的功率电子系统。无论是提升能效以满足严苛的法规要求，还是增强产品在市场上的竞争力，它都是您值得信赖的功率核心选择。

• 型号:STD100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD100N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。