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您正在为高功率开关应用寻找一颗强健而高效的“心脏”吗？STGB30V60F正是这样一款能为您担当大任的IGBT。它集成了先进的沟槽型场截止技术，在600V的电压平台下可连续通过60A电流，而导通压降低至仅2.3V，这意味着它能显著减少导通损耗，让您的电源或驱动系统运行得更凉爽、更节能。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭电机驱动、UPS和太阳能逆变器等应用中的功率转换任务。其快速的开关速度（开/关延迟时间优异）和较低的栅极电荷需求，确保了高效、精准的PWM控制，从而提升系统整体响应和效率。同时，其坚固的设计和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），为您产品的长期可靠运行提供了坚实保障。

• 型号:STGB30V60F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:260 W
• 开关能量:383J（导通），233J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:163 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB30V60F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。