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您正在寻找一颗能强力、精准且可靠地驱动功率开关管的核心芯片吗？TD350ETR正是您的答案。这颗来自ST意法半导体的单通道高端栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，其高达2.3A的拉电流输出能力，能让您的功率器件以惊人的速度开启，显著提升系统效率。

它拥有12V至26V的宽供电范围，兼容性极强，并且其非反相输入逻辑与标准的逻辑电平阈值让您能轻松对接各类控制单元。更值得一提的是，它能在-40°C到150°C的极端结温下稳定工作，内置的保护特性让您的设计在面对复杂工况时依然坚若磐石。选择TD350ETR，就是为您的电源管理应用注入一颗高效、可靠的驱动核心。

• 型号:TD350ETR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，75ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• TD350ETR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。