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您正在寻找一颗能在大电流应用中兼顾高效与可靠的“动力核心”吗？STD155N3H6正是为您而来。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V耐压与高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅3毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关及导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

得益于先进的DeepGATE与STripFET VI技术，它在10V驱动电压下即可实现优异的性能，栅极电荷（Qg）低至62nC，助力实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，它都能让您的设计轻松应对高电流挑战，提升整体系统功率密度与可靠性。

• 型号:STD155N3H6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD155N3H6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。