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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？STWA20N95DK5就是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh DK5家族的N沟道MOSFET，拥有950V的坚固耐压和18A的强大电流吞吐能力，专为应对严苛的高压高功率场景而优化。

它的核心价值在于，让您轻松实现更高的能源转换效率。其创新的技术平台带来了极低的导通电阻（典型值330mΩ @9A,10V），能显著减少功率损耗，直接降低系统发热，提升整体能效。同时，优异的开关特性（低栅极电荷Qg）让驱动更轻松，开关速度更快，进一步优化性能。无论是用于工业电源、新能源逆变还是高端充电设备，STWA20N95DK5都能帮助您构建更紧凑、更可靠、效率卓著的功率转换系统。

• 型号:STWA20N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA20N95DK5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。