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还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？STGF15M65DF2正是您期待的答案。这颗650V/30A的沟槽场截止IGBT，拥有低至2V的Vce(sat)，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了快速的开关性能与卓越的耐用性，开关延迟短，反向恢复时间快，轻松应对高频开关应用。其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，让您的设备即使在严苛环境下也能稳定输出。选择它，就是为您的设计选择了可靠的性能基石和更长的使用寿命。

• 型号:STGF15M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220FP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:31 W
• 开关能量:90J（导通），450J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:45 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/93ns
• 测试条件:400V，15A，12 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):142 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
• STGF15M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。