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还在为寻找一颗能同时兼顾高功率、低损耗和卓越可靠性的MOSFET而烦恼吗？STY100NS20FD正是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有200V耐压和100A的强大电流处理能力，专为 demanding 的工业级应用而设计。

它的核心价值在于让您的系统运行得更“冷静”、更高效。极低的导通电阻显著减少了开关和导通时的功率损耗，直接提升整体能效，同时其优异的散热设计（最大耗散功率450W）确保了在高温环境下的长期稳定工作。无论是驱动电机、构建电源还是其他功率转换环节，它都能让您轻松应对高负载挑战，实现性能与可靠性的完美平衡。

• 型号:STY100NS20FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:360 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY100NS20FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。