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面对高达1500V的电压挑战，您的功率开关方案是否已准备就绪？STP4N150正是为您应对此类高压、中功率场景而生的利器。这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，能轻松胜任开关电源、电机驱动等应用中的核心开关任务，让您的系统效率更高、运行更稳。

它凭借优化的导通电阻与栅极电荷，显著降低了开关损耗和导通损耗，帮助您实现更高能效的设计目标。同时，其坚固的TO-220AB封装和宽泛的工作温度范围，确保了在恶劣环境下的长期可靠运行。选择STP4N150，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STP4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4N150，ST（意法半导体）产品一站式供应商。