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STU25N10F7 零件图片(仅供参考)

STU25N10F7
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STU25N10F7 规格参数

还在寻找那颗能扛起大功率开关重任的“核心担当”吗?STU25N10F7正是为您而来的解决方案。作为一款N沟道100V/25A的功率MOSFET,它基于意法半导体先进的STripFET F7技术,核心使命就是让您的电能转换效率大幅提升。它通过极低的导通电阻,显著减少开关过程中的功率损耗,直接帮助您的设备运行更凉爽,续航更持久。

这颗芯片是驱动电机、构建高效DC-DC转换器或处理其他中等功率开关任务的理想选择。其稳健的IPAK通孔封装确保了出色的散热和机械可靠性,让您在设计高要求工业应用时更加安心。选择STU25N10F7,就是为您的产品选择了一份经过验证的高效与可靠,轻松应对功率挑战。

  • 制造商产品型号:STU25N10F7
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 25A IPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:STripFET F7
  • 零件状态:不用於新
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):25A
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:I-PAK
  • STU25N10F7,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STU25N10F7 基本参数:

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