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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和强大驱动能力的功率开关芯片吗？STWA70N65DM6正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有650V的高耐压和68A的大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅40毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它基于先进的MDmesh DM6技术，优化了栅极电荷和电容特性，让开关过程更加迅速、干净，从而轻松提升系统整体频率和功率密度。无论是应对工业环境的严酷考验，还是追求消费级产品的精致能效，它都能让您的设计游刃有余，高效实现性能目标。

• 型号:STWA70N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA70N65DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。