我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL135N8F7AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高电流、高效率重任的功率开关吗？STL135N8F7AG正是为您而来。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有80V的耐压和高达130A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅3.6毫欧的超低导通电阻，能大幅降低您系统中的传导损耗，直接提升整体能效。

它让您轻松应对汽车电驱、电源转换等应用的严苛要求。优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速、干净的开关性能，进一步减少开关损耗。结合其汽车级（AEC-Q101）认证、宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）以及高效的PowerFlat封装，STL135N8F7AG为您提供的不仅是一个元件，更是一个高效、可靠、节省空间的完整功率解决方案，助您的产品在性能竞赛中脱颖而出。

• 型号:STL135N8F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:103 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL135N8F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。