我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） NAND01GW3B2AZA6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储芯片吗？让NAND01GW3B2AZA6E来担当您系统的数据基石！这颗由ST意法半导体出品的1Gb并行NAND闪存，拥有128M x 8的配置，能以低至30ns的极速完成页写入和访问，让您的设备数据处理如虎添翼，用户体验无比流畅。

它采用2.7V-3.6V宽电压供电，并支持-40°C至85°C的工业级温度范围，无论是智能工厂的严苛环境还是消费电子的日常应用，都能确保数据存储的稳定与安全。其63-TFBGA的紧凑封装，更为您的PCB布局节省宝贵空间。选择它，就是选择了一份经过市场验证的成熟与可靠，让您的产品开发更高效，性能表现更出众。

• 型号:NAND01GW3B2AZA6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND01GW3B2AZA6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。