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STTH8R02DDJFY-TR 零件图片(仅供参考)

STTH8R02DDJFY-TR
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STTH8R02DDJFY-TR 规格参数

您正在寻找一种能同时优化效率、节省空间并简化设计的整流方案吗?STTH8R02DDJFY-TR正是您的理想答案。这颗来自ST意法半导体的通用二极管阵列,集成了两个独立的快速恢复二极管,每个都能轻松处理高达4A的平均整流电流和200V的反向电压,其低至1.22V的正向压降和仅30ns的反向恢复时间,能显著提升您的电源转换效率,降低开关损耗。

它采用先进的8-PowerVDFN表面贴装封装,让您能在极其紧凑的PCB空间内实现高性能的整流功能,非常适合空间受限的现代电子设备。宽广的-40°C至175°C结温工作范围,确保您的产品在各种恶劣环境下都能稳定可靠地运行。选择它,就是选择了一个让设计更高效、让产品更耐用的强大核心元件。

  • 型号:STTH8R02DDJFY-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY GP 200V 4A POWERFLAT
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:2 个独立式
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):4A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.22 V @ 8 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):30 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 200 V
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerFlat(5x6)
  • STTH8R02DDJFY-TR,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STTH8R02DDJFY-TR 基本参数:

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