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您正在设计一款需要处理高压、大电流的电源或电机驱动产品吗？STW72N60DM2AG正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET拥有600V的耐压和66A的连续电流能力，能轻松担当起系统主功率开关的重任。

它的核心价值在于“高效”与“可靠”。得益于先进的MDmesh DM2技术，其导通电阻极低，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。同时，它符合汽车级AEC-Q101标准，具备卓越的坚固性和长寿命，让您在面对严苛工业环境或追求高品质的消费类应用时信心十足。

简而言之，STW72N60DM2AG能帮助您简化设计、提升效率并增强产品可靠性，是您打造下一代高性能功率转换平台的理想选择。

• 型号:STW72N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 66A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:121 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5508 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW72N60DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。