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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题寻找终极解决方案吗？STH140N6F7-2正是为您而来的答案。这颗基于先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于超低的3毫欧导通电阻，能大幅削减导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效和更低的温升。

它专为应对严苛挑战而生。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率DC-DC转换器和新能源逆变器，STH140N6F7-2都能凭借其优异的开关特性（低栅极电荷）和强大的散热能力（H2PAK-2封装，结温175°C），确保系统在高负载下依然稳定、高效、可靠地运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“芯”。

• 型号:STH140N6F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH140N6F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。