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还在为寻找一颗既能承受高压又能高效开关的功率管而烦恼吗？STP5NK60Z正是为您量身打造的解决方案。这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和5A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机控制或照明驱动时，轻松应对高电压环境，同时实现更低的能量损耗。

它的优势在于极致的效率与可靠性。仅1.6欧姆的低导通电阻（最大值）意味着更少的发热和更高的能效，而优化的栅极电荷（Qg最大值34nC）则确保了快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷。封装在经典的TO-220AB中，它提供了出色的散热路径，配合-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保您的设备在各种严苛条件下都能稳定、持久地运行。

• 型号:STP5NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。