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还在寻找那颗能扛起高功率重任的“核心开关”吗？STW60NM50N正是为您而来！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V/68A的强悍规格，旨在让您的电源或电机驱动设计脱胎换骨。

它的核心价值在于“高效”与“可靠”。极低的导通电阻能显著减少导通损耗，直接提升您的系统效率；而优化的动态特性则让开关更快速、更干净，帮助您轻松应对EMI挑战。无论是工业变频器、不间断电源，还是新能源转换设备，它都能提供稳定持久的动力支持，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越性能脱颖而出。

• 型号:STW60NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:43 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:178 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW60NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。