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您正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的100V功率开关吗？STD30N10F7正是您的理想之选。这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有低至24毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率显著提升，运行更凉爽。

它具备32A的强大电流处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保在各种严苛环境下稳定工作。其优化的动态参数（如栅极电荷）让开关更迅速，损耗更低，助您轻松实现更高频率、更紧凑的设计。选择STD30N10F7，就是为您的产品选择了持久耐用的高效动力核心。

• 型号:STD30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。