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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STGWA15H120DF2正是您期待的解决方案！这颗1200V/15A的沟槽场截止型IGBT，旨在让您的设计更高效、更可靠。它通过极低的2.6V饱和压降，显著减少导通损耗，帮助您轻松提升系统能效，同时降低散热需求。

它卓越的开关性能（开关能量仅数百微焦耳）和快速的开关速度，让您能够构建响应更迅捷、电磁兼容性更优的电机驱动或电源系统。其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，极大增强了您最终产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STGWA15H120DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:380J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:67 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):231 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGWA15H120DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。