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零件图片（仅供参考）
STGWA15H120DF2
规格参数
  • 制造商产品型号：STGWA15H120DF2
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：60A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，15A
  • 功率-最大值：259W
  • 开关能量：380μJ（开），370μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：67nC
  • 25°C时Td（开/关）值：23ns/111ns
  • 测试条件：600V，15A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：231ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
  • STGWA15H120DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：STGWA15H120DF2
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询STGWA15H120DF2的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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