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还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又高效的“心脏”吗？STWA67N60M6正是您期待的答案。这颗来自意法半导体MDmesh M6家族的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和52A的强大电流处理能力，专为应对高要求应用而打造。

它的核心价值在于卓越的效率。通过优化导通电阻与栅极电荷的平衡，它能显著降低开关和导通损耗，让您的服务器电源、工业驱动或新能源逆变器运行得更凉爽、更节能。高达330W的耗散功率和宽广的工作温度范围，确保了极端条件下的稳定表现。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因，让您轻松实现性能飞跃。

• 型号:STWA67N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:49 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA67N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。