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您是否希望为您的电源系统找到一颗既能扛住高压大电流，又能保持高效冷静的“心脏”？STW48N60M6正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V/39A的强悍规格，其采用的先进MDmesh M6技术，能显著降低导通电阻和开关损耗，直接帮助您提升系统效率，减少热量产生。

它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、光伏逆变器等高要求应用。优异的动态特性与TO-247封装带来的强大散热能力相结合，确保了系统在-55°C至150°C的宽温范围内稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STW48N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2578 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW48N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。