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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任，同时保持极低损耗的MOSFET吗？STW56N65M2正是为您而来。它拥有650V的坚固耐压和49A的强大电流通过能力，核心优势在于其MDmesh M2技术带来的仅62毫欧超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率显著提升，发热量却大幅减少。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对服务器电源、工业驱动、光伏逆变器等高压高功率场景的严苛要求。其优化的动态参数（如低栅极电荷）有助于简化驱动设计，提升开关速度，而TO-247封装确保了卓越的散热性能。选择STW56N65M2，就是为您的产品选择了高效、可靠与持久的动力核心，助您轻松构建更具市场竞争力的高性能系统。

• 型号:STW56N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 24.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:358W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。