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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关核心吗？STB13NM50N-1正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的耐压和12A的连续电流处理能力，其核心的MDmesh II技术让导通电阻低至惊人的320毫欧，能显著降低开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用体验。优化的栅极电荷和输入电容特性，让驱动设计更为轻松，有助于提升开关频率和系统响应速度。高达100W的功率耗散能力和150°C的结温，为您提供了充足的设计余量和可靠性保障。无论是用于提升现有产品的能效等级，还是开发更具竞争力的新平台，STB13NM50N-1都能让您轻松驾驭高压功率应用，实现性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STB13NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB13NM50N-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。