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您正在寻找一颗能同时兼顾高功率、高增益和卓越可靠性的射频功率晶体管吗？LET9045S正是您的理想之选。这颗基于先进LDMOS技术的N沟道晶体管，专为高频、高要求的应用而生，旨在让您的射频功放设计事半功倍。

它能在960MHz频率下，轻松输出高达59W的功率，并提供17.5dB的强劲增益，显著简化您的放大链路设计。其80V的高耐压和9A的电流能力，确保了在28V工作电压下的宽裕工作余量和卓越的线性度，让您的系统输出信号更纯净、更稳定。采用PowerSO-10RF封装，散热性能优异，助您构建高效、可靠的长寿命产品。

• 型号:LET9045S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:960MHz
• 增益:17.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:9A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:59W
• 电压 - 额定:80 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• LET9045S，ST（意法半导体）产品一站式供应商。