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您正在为高压、大电流的开关应用寻找一颗既强劲又可靠的心脏吗？STW23NM50N正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和17A的连续电流处理能力，能轻松驾驭工业电源、电机驱动等严苛场景。

它采用ST先进的MDmesh II技术，将导通电阻显著降低，这意味着更少的能量损耗和更高的整体效率。同时，优化的栅极电荷让开关速度更快，损耗更低，帮助您的系统运行得更迅捷、更凉爽。其坚固的TO-247封装确保了出色的散热性能，让您在设计高功率密度应用时信心十足。

• 型号:STW23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW23NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。