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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？STP35N60M2-EP正是您期待的答案！这颗采用ST先进MDmesh M2-EP技术的600V N沟道MOSFET，专为高效、可靠的功率开关应用而生。它能轻松处理高达26A的连续电流，帮助您大幅降低导通和开关损耗，从而让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更节能。

凭借其优化的动态参数和坚固的TO-220封装，它让您在设计高功率密度方案时更加游刃有余，有效简化热管理，提升系统整体可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经市场验证的高性能与长寿命保障。

• 制造商产品型号：STP35N60M2-EP
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2-EP
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP35N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。