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您是否希望为您的电源或电机控制设计注入一颗强劲而高效的“心脏”？STF6N62K3正是您期待的答案。这颗采用SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和5.5A的连续电流能力，能轻松应对严苛的开关环境，让您的系统运行更加稳定可靠。

它的核心魅力在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻（Rds(on)）大幅减少了导通损耗，而超低的栅极电荷（Qg）则确保了高速开关与低驱动损耗。这意味着，它能让您的设备效率显著提升，发热量有效降低，从而简化散热设计，帮助您打造出更紧凑、更节能的下一代产品。无论是升级现有方案还是开拓全新应用，STF6N62K3都是您实现高效、可靠电源管理的理想之选。

• 型号:STF6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.28 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。