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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STH110N7F6-2来为您解决！这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，是您打造高效、高功率密度系统的秘密武器。它拥有68V的耐压和高达80A的电流承载能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的设备运行更“冷静”，能效表现脱颖而出。

得益于先进的STripFET F6技术，它在提供强劲功率处理能力的同时，还优化了开关特性。这意味着您不仅可以轻松应对电机驱动、DC-DC转换器等应用中的大电流挑战，还能在高频开关电路中获得更快的响应速度和更低的开关损耗。其坚固的H2PAK-2封装和宽广的工作温度范围，更能确保您的设计在各种环境下稳定可靠，助您轻松提升产品性能与市场竞争力。

• 制造商产品型号：STH110N7F6-2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：68V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 55A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5850pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：176W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
• STH110N7F6-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。