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还在为高压大电流开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STW20NK70Z来为您轻松化解！这颗基于SuperMESH技术的700V/20A N沟道MOSFET，是您提升系统能效的得力助手。

它凭借低至285毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行更高效、更凉爽。高达350W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，确保了其在严苛环境下的卓越可靠性和稳定性。选择它，就是为您的设计注入强劲且可靠的核心动力。

• 型号:STW20NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:185 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NK70Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。