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您是否正在寻找一颗能同时征服高电流与紧凑空间的功率开关芯片？STL35N75LF3就是您的理想答案。这颗由ST意法半导体出品的N沟道MOSFET，拥有32A的强大电流处理能力和75V的耐压，专为提升电源转换效率和功率密度而设计。

它采用创新的PowerFlat微型封装，让您能在寸土寸金的电路板上轻松布局，却毫不妥协于性能。其极低的导通电阻和栅极电荷，能显著减少开关损耗和发热，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是驱动电机、管理电源还是进行负载开关，STL35N75LF3都能以卓越的可靠性，助您轻松构建更紧凑、更强大的下一代电子产品。

• 型号:STL35N75LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 32A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL35N75LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。