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还在为高压开关应用的效率和发热问题头疼吗？让STP21NM60N来为您分忧！这颗N沟道功率MOSFET是意法半导体MDmesh家族的明星产品，专为高效、可靠的600V高压应用而设计。

它能轻松处理高达17A的连续电流，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的开关特性帮助您提升工作频率，从而缩小整体方案尺寸。无论是构建紧凑的开关电源，还是驱动强劲的工业电机，STP21NM60N都能让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:STP21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP21NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。