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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？STP85NF55就是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其80A的连续漏极电流和仅8毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统的传导损耗，让您的设备运行得更凉爽、更高效。

它采用成熟的TO-220AB封装，提供高达300W的功率处理能力，结合STripFET II技术的快速开关特性，能有效减少开关损耗。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STP85NF55都能让您轻松应对高电流挑战，提升整体系统能效和可靠性，是您实现高性能设计的得力助手。

• 型号:STP85NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP85NF55，ST（意法半导体）产品一站式供应商。