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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STW20N90K5为您带来变革性的解决方案！这颗来自意法半导体MDmesh K5家族的N沟道MOSFET，拥有900V的超高耐压和20A的连续电流能力，专为应对苛刻的高压环境而生。

它的核心价值在于卓越的效率。通过优化导通电阻与栅极电荷的平衡，它能显著降低您在开关电源（如PFC、LLC拓扑）或电机驱动应用中的能量损耗。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更持久，同时轻松提升整体能效。其坚固的TO-247封装确保了出色的热管理，让您在设计高功率密度系统时信心倍增。

简而言之，STW20N90K5就是您提升产品可靠性、简化散热设计并最终赢得能效优势的得力助手。选择它，让高效动力触手可及。

• 型号:STW20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。