我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STH275N8F7-2AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能让您的电源或电机驱动方案脱颖而出的“心脏”吗？STH275N8F7-2AG正是您期待的答案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有80V的耐压和高达180A的连续电流处理能力，其核心魅力在于低至2.1毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

它能让您轻松应对汽车电驱、大功率DC-DC转换、服务器电源等严苛应用。极低的栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关行为，进一步削减开关损耗，让整体能效表现更加出色。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:STH275N8F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH275N8F7-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。