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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关核心？STD10LN80K5正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有800V的惊人耐压和仅630毫欧的超低导通电阻，让您在设计高压电源、电机驱动或PFC电路时，能大幅降低导通损耗，轻松提升整体系统能效，将更多电能转化为有效输出。

得益于ST先进的MDmesh K5技术，它在提供8A强大电流能力的同时，还保持了优异的开关特性。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源工作频率可以更高，磁性元件体积得以缩小，从而实现更紧凑、更轻量化的产品设计。其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行，为您产品的长期耐用性保驾护航。

• 型号:STD10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。