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还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？让STF7NM50N为您带来改变。这颗采用成熟MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和5A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗（Rds(on)仅780mΩ）和出色的开关性能。

这意味着，在您的开关电源、照明驱动或电机控制电路中，它能显著减少能量浪费，降低发热，让您的系统运行得更凉爽、更高效。其TO-220FP封装兼顾了功率密度与散热需求，宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则确保了它在各种环境下的可靠表现。选择它，就是为您的产品注入一颗历经考验的高效“心脏”。

• 型号:STF7NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。