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还在为功率转换中的损耗和发热问题烦恼吗？STW19NM50N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET，拥有500V的漏源电压和14A的连续电流能力，基于ST先进的MDmesh II技术，能显著降低导通电阻，从而让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动等高要求场景。优异的开关性能（低栅极电荷Qg）意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，而坚固的TO-247封装确保了出色的散热能力。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STW19NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW19NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。