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还在为空间紧张的PCB布局发愁吗？STR2P3LLH6这颗P沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它采用先进的STripFET H6技术，在微小的SOT-23封装内，为您提供30V耐压和2A的电流处理能力，让您的负载开关、电源管理设计既紧凑又强大。

它的卓越之处在于极低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升系统整体能效，延长电池供电设备的工作时间。无论是智能穿戴、便携式设备还是各类模块，选择STR2P3LLH6，意味着您选择了一种让产品更节能、更可靠、更具竞争力的简单方式。

• 型号:STR2P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• STR2P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。