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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STB15N80K5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时，轻松应对高压挑战，同时享受极低的导通损耗带来的能效提升。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作更高效。其优化的动态特性，如较低的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，帮助您简化电路设计，提升系统整体响应。采用坚固的D2PAK封装，散热能力出众，确保在高温环境下持续稳定运行，为您的产品长期可靠性保驾护航。

• 型号:STB15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB15N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。